Valon emission tehostaminen GaN-pohjaisissa valodiodeissa pintaplasmonien avulla

Sopanen Markku, Aalto-yliopisto/TKK

Hankkeessa tutkitaan pintaplasmonien ja puolijohdekvanttikaivojen kytkeytymistä valon emission ja ekstraktion tehostamiseksi GaN-pohjaisista valodiodeista. Valon ulostulon tehostamiseksi valmistetaan aktiivisen alueen lähelle metallisista nanopartikkelista koostuva matriisi. Tämä vaatii komponentin prosessoimista puhdastilaympäristössä. Lopuksi rakenne optimoidaan yhdistämällä tulokset optisista mittauksista ja teoreettisista laskelmista.